角村 貴昭 | (株)半導体先端技術テクノロジーズ

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概要

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関連著者

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  東大

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学

• 辻 勝弘

  広島市大学院情報科学研究科

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 辻 勝弘

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 讃井 和彦

  広島市大大学院情報科学研究科

• 高橋 和也

  広島市大学院情報科学研究科

• 竹内 潔

  日本電気

• 平野 美緒

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 矢野 史子

  MIRAI-Selete

• 外山 健

  東北大金研

• 永井 康介

  東北大金研

• 井上 耕治

  京大院工

• 井上 耕治

  東北大 金属材料研

• 高見澤 悠

  東北大金研

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 寺田 和夫

  広島市大大学院情報科学研究科

• 辻 勝弘

  広島市大大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 讃井 和彦

  広島市立大学院情報科学研究科

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 清水 康雄

  東北大金研

• 井上 耕治

  京大工

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• Arifin Tamsir

  東京大学生産技術研究所

• 宋 驍嵬

  東京大学生産技術研究所

• 高見澤 悠

  東北大学大学院工学研究科

• 平本 俊郎

  東京大学

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著作論文

• C-11-4 しきい値電圧ばらつきに対するハロー構造の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• C-10-5 しきい値電圧バラツキのチャネル寸法依存性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• C-11-1 しきい値電圧ばらつきに対するチャネル濃度不均一性の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-11-2 電流の測定データにおけるはずれ値除去の自動化(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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