平本 俊郎 | 東大
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概要
関連著者
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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平本 俊郎
東大生研
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平本 俊郎
日立製作所デバイス開発センタ
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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清水 健
天理よろず相談所病院小児科
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清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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最上 徹
MIRAI-Selete
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清水 健
東京大学生産技術研究所
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清水 健
埼玉社会保険病院病理
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清水 健
北海道大学大学院工学研究科
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清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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プトラ アリフィン・タムシル
東京大学
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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矢野 和男
日立
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黒田 忠広
慶応
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内山 邦男
日立
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松澤 昭
松下
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大平 英雄
パケットビデオジャパン
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 和男
早大理工
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大平 英雄
金沢大学大学院自然科学研究科
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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松澤 昭
松下電器産業
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矢野 和男
日立製作所基礎研究所
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道関 隆国
Ntt
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大平 英雄
金沢大 大学院自然科学研究科
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寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
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Putra Arifin
東京大学生産技術研究所
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寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
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榎本 忠儀
中央大
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所 システムLSI研究部
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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陳 杰智
東京大学生産技術研究所
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水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
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KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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鈴木 誠
東京大学生産技術研究所
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鄭 然周
東京大学生産技術研究所
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Chen Jiezhi
東京大学生産技術研究所
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寺田 和夫
広島市立大学
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小野 崇人
東北大学
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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竹内 潔
日本電気
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深井 利憲
MIRAI-Selete
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平本 俊郎
MIRAI-Selete
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高村 禅
北陸先端大院・マテリアルサイエンス
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学
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浦岡 行治
奈良先端大
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西永 頌
東大工
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羽根 一博
東北大学
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一木 隆範
東大院・工・バイオエンジニアリング
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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森 伸也
阪大院工
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森 伸也
阪大工
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山口 邦彦
日立超lsiシステムズ
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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丹場 展雄
日立製作所 デバイス開発センタ
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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小田中 紳二
阪大
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宮崎 誠一
広大院先端研
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池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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金田 千穂子
富士通研究所
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丹波 展雄
日立製作所デバイス開発センタ
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丹場 展雄
筑波大・物理
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渡辺 邦彦
日立製作所 デバイス開発センタ
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池田 隆英
日立製作所 デバイス開発センタ
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大林 正幸
日立製作所デバイス開発センタ
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秋元 一泰
日立製作所デバイス開発センタ
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国分 尚徳
日立製作所デバイス開発センタ
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吉田 誠
日立製作所デバイス開発センタ
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藤原 剛
日立製作所デバイス開発センタ
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林 秀樹
日立超LSIエンジニアリング
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南部 博昭
日立製作所中央研究所
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山口 邦彦
日立製作所デバイス開発センタ
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石田 誠
豊橋技科大
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井谷 俊郎
Selete
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上野 和良
芝浦工大
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坂本 邦博
産総研
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芝原 健太郎
広大
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須田 良幸
農工大
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高橋 庸夫
北大
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久本 大
日立
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廣瀬 和之
宇宙研
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水野 文二
UJTラボ
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須田 良幸
農工大・工
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吉田 誠
林病院外科
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林 秀樹
林病院外科
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一木 隆範
東洋大学・工
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新宮原 正三
関西大
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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辰巳 哲也
ソニー
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高村 禅
北陸先端大
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渡辺 邦彦
日立製作所デバイス開発センタ
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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森 伸也
阪大
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小野 崇人
東北大学大学院工学研究科
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小田 俊理
東工大
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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Hane Kazuhiro
Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University
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Hane Kazuhiro
Faculty Of Engineering Tohoku University
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井谷 俊郎
Nec
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宮崎 誠一
広大
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松井 真二
兵庫県立大
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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西森 茂樹
東大工
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鷲山 昌子
東大工
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一木 隆範
東大
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一木 隆範
東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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小野 崇人
東北大
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羽根 一博
東北大学大学院
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南部 博昭
日立製作所
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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Arifin Tamsir
東京大学生産技術研究所
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大林 正幸
日立製作所 デバイス開発センタ
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一木 隆範
東大 大学院工学系研究科
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鷲山 昌子
東大工学部
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羽根 一博
東北大学大学院工学研究科
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一木 隆範
東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻
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榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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羽根 一博
東北大
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矢野 和男
(株)日立製作所 中央研究所
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平本 俊郎
東京大学
著作論文
- 半導体技術のイノベーション--More MooreとBeyond CMOSの融合 (特集 「ポスト・ムーアの法則」時代におけるエレクトロニクス産業)
- 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
- 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
- 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前 : パネルディスカッション
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- シリコン技術
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
- 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコンナノドットを用いた不揮発性メモリ (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
- 超高集積Siデバイス (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
- 単一電子デバイスとその応用の展望
- Material Report 極限CMOS開発の現状と将来展望
- Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Beyond CMOS とは?
- 応用物性
- シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
- (Ga,Al)As LPE成長におけるマクロステップとファセットの形成 : ステップ運動
- CT-1-1 10nm世代に向けたMOSトランジスタの特性ばらつき克服に向けて(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について