更屋 拓哉 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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平本 俊郎
東大
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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清水 健
天理よろず相談所病院小児科
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清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
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生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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清水 健
東京大学生産技術研究所
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清水 健
埼玉社会保険病院病理
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清水 健
北海道大学大学院工学研究科
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清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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高宮 真
東京大学
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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石黒 仁揮
東京大学生産技術研究所第3部
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KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
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宮野 信治
STARC
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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平本 俊郎
東大生研
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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デュエト トラン
東京大学生産技術研究所
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生駒 俊明
東京大学生産技術研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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最上 徹
MIRAI-Selete
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鈴木 誠
東京大学生産技術研究所
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デュエト トラン・ゴック
東京大学生産技術研究所
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清水 健
東大生研
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更屋 拓哉
東大生研
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藤井 呂如
東京大学生産技術研究所第3部
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陳 杰智
東京大学生産技術研究所
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橋口 原
新日本製鐵(株)エレクトロニクス研究所
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平本 俊郎
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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田中 剛
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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橋口 原
東京大学生産技術研究所
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生駒 俊明
T.I.筑波研究開発センター
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大藤 徹
東京大学生産技術研究所
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鄭 然周
東京大学生産技術研究所
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Chen Jiezhi
東京大学生産技術研究所
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下川 公明
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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堂前 泰宏
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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長友 良樹
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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井田 次郎
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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更屋 拓哉
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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井田 次郎
沖電気
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大竹 浩
NHK放送技術研究所
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後藤 正英
NHK放送技術研究所
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萩原 啓
NHK放送技術研究所
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井口 義則
NHK放送技術研究所
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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年吉 洋
東京大学
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年吉 洋
東大生産研
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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日暮 栄治
東京大学
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高宮 真
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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生駒 俊明
(株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センタ-
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
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南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
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トラン・ゴック デュエト
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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宋 驍嵬
東京大学生産技術研究所
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井口 義則
日本放送協会放送技術研究所新機能デバイス研究部
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更屋 拓哉
東京大学
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平本 俊郎
東京大学
著作論文
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおけるサブバンドギャップインパクトイオン化と基板浮遊効果
- サブ0.1μm SOI MOSFET : そのスケーリングと基板浮遊効果
- 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
- リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測
- 低電圧動作0.1ミクロン薄膜SOI MOSFETの試作と特性評価
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
- 部分空乏型SOI MOSFETの過渡応答を用いたサブバンドギャップインパクトイオン化電流の高感度測定法
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 11-3 撮像デバイスの3 次元集積化に向けた要素技術の開発(第11部門 情報センシング,情報ディスプレイ)
- SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)