南雲 俊治 | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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大藤 徹
東京大学生産技術研究所
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横山 弘毅
東京大学生産技術研究所
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犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
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大澤 淳真
東京大学生産技術研究所
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横山 弘毅
東京大学生産技術研究所:中央大学
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大澤 淳真
東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
著作論文
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
- しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲