膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(<IEDM特集>先端CMOSデバイス・プロセス技術)

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概要

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• ボディ厚が5nm以下の面方位(110)極薄SOIダブルゲート(DG) nMOSFETにおいて, 反転電荷量が6×10^<12>cm^<-2>という比較的高電界領域において電子移動度が向上することを報告する.移動度向上の物理的起源はボリュームインバージョンによる電界緩和効果で表面ラフネス散乱が低減すること, ならびに従来の面方位(100)極薄SOI DG nMOSFETにおいて観測された量子閉じ込め効果によるSOI膜厚ゆらぎ散乱の増大効果が(110)では小さいことである.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-01-13

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 筒井 元

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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