極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
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概要
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本論文では、10nm 以下の幅の極狭細線チャネルを有するシリコンフローティングドットMOSFETメモリを提案かつ実証する。作製した極狭チャネルメモリにおいては、幅の広いチャネルのメモリに比べて、大きな閾値電圧シフト、及び長い保持時間が得られた。数値計算の結果より、これらの特性は極狭チャネルでの古典的なボトルネック効果及び量子閉じ込め効果に起因するものであることがわかった。最も細いチャネル(幅5nm)のデバイスでは、ドットからの単電子の放出に起因するドレイン電流の階段状増加を明瞭に観測した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-04
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
永田 英次
東京大学生産技術研究所
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