低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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超低消費電力LSIに適したデバイスとしてsemi-planar silicon-on insulator (SOI) MOSFETを提案する。デバイススケールの微細化が進むと、しきい値電圧のばらつきが短チャネル効果と並ぶ最重要課題となる。基板バイアス効果を用いた適応的しきい値電圧制御はばらつきの抑制に非常に有効な手段である。semi-planar SOI MOSFETはゲートの三次元的な構造により短チャネル効果を抑えられるだけでなく、有限の基板バイアス係数を有するためばらつき抑制が可能である。本稿では三角細線チャネル構造およびlow-Fin構造についての短チャネル効果、S値および基板バイアス係数に関するシミュレーションおよび実測結果により、従来のSOI MOSFETに対するsemi- lanar SOI MOSFETの優位性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-14
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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