南雲 俊治 | NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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概要
関連著者
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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筒井 元
東京大学生産技術研究所
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齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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大藤 徹
東京大学生産技術研究所
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横山 弘毅
東京大学生産技術研究所
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犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
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大澤 淳真
東京大学生産技術研究所
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横山 弘毅
東京大学生産技術研究所:中央大学
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大澤 淳真
東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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宮村 信
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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宮村 信
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
電気通信大学
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HAYASHI Yoshihiro
Device Platforms Research Labs., NEC.
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南雲 俊治
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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長谷 卓
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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Hayashi Yoshihiro
Nec Corporation
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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Hayashi Yoshihiro
LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
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Hayashi Yoshihiro
Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan
著作論文
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
- しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価 (シリコン材料・デバイス)
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))