横川 慎二 | ルネサスエレクトロニクス株式会社

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• ルネサスエレクトロニクス株式会社の論文著者

関連著者

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 高橋 聖

  日本大学

• 高橋 聖

  日本大学理工学部電子情報工学科

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 高橋 聖

  日本大

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社基盤技術開発事業本部テスト評価技術開発事業部

• 加藤 一郎

  NECエレクトロニクス株式会社

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 高橋 聖

  日本大学大学院理工学研究科

• 横川 慎二

  職業能力開発総合大学校

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学情報工学院

• 貝瀬 徹

  兵庫県立大学

• 中村 英夫

  日本大学

• 金川 信康

  株式会社日立製作所日立研究所

• 村岡 哲也

  元職業能力開発総合大学校東京校

• 山内 愼二

  駒澤大学

• 久郷 信俊

  千代田アドバンスト・ソリューションズ

• 幸田 武久

  京都大学

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 黒田 豊

  (株)国際電気エルテック技術部

• 望月 寛

  日本大学

• 青木 雄一

  エスペック株式会社技術開発本部信頼性研究室

• 望月 寛

  日本大学大学院理工学研究科

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 杉山 聡

  Ntt環境エネルギー研究所

• 鈴木 浩一

  宇宙航空研究開発機構

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学

• 広瀬 英雄

  広島市立大学情報科学部情報数理学科

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学 情報工学部 システム創成情報工学科

• 広瀬 英雄

  (株)高岳製作所技術開発センター数理情報研究室

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 喜多 和

  北陸先端科学技術大学院大

• 鈴木 和幸

  電気通信大学

• 鈴木 和幸

  電気通信大学大学院電気通信学研究科

• 金川 信康

  (株)日立製作所日立研究所

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 石田 勉

  電気通信大学

• 山本 渉

  電気通信大学

• 戸次 圭介

  日立製作所

• 澤田 孝

  NTT環境エネルギー研究所

• 作村 建紀

  九州工業大学大学院情報工学院

• 孫 佳

  日本大学

• 石田 勉

  国立大学法人電気通信大学大学院情報システム学研究科社会知能情報専攻

• 夏目 武

  文教大学大学院

• 喜多 和

  日本工営(株)

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 池田 弘明

  (有)池田電子工学研究所

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 中村 英夫

  日本大学理工学部

• 相澤 宏一

  NEC Electronics Corporation

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 中村 真理子

  日本電信電話(株)環境エネルギー研究所

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 井口 学

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 相澤 宏一

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 渡部 忠兆

  株式会社東芝半導体研究開発センター

• 広瀬 英雄

  九州工業大学情報工学部情報科学研究科

• 広瀬 英雄

  (株)高岳製作所数理情報研究室

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 岡田 紀雄

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 清水 立雄

  NECエレクトロニクス株式会社

• 中村 英夫

  日本大 理工

• 鈴木 和幸

  電気通信大学大学院情報システム学研究科社会知能情報学専攻

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 長谷部 光雄

  株式会社リコー:都産技研信頼性技術研究会

• 広瀬 英雄

  高岳製作所

• Yun Won

  Pusan National University

• 澤田 孝

  日本電信電話株式会社 環境エネルギー研究所

• 井口 学

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 相澤 宏一

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学大学院情報工学院

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 水口 大知

  産業技術総合研究所

• 渡部 忠兆

  株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 横山 真弘

  電気通信大学大学院

• Suzuki Kazuyuki

  Univ. Electro‐communications Tokyo Jpn

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• 澤田 孝

  日本電信電話株式会社ntt環境エネルギー研究所

• 田口 研治

  (独)産業技術総合研究所

• 熊崎 千晴

  電気通信大学

• 相馬 大輔

  (独)産業技術総合研究所

• 山下 俊恵

  電気通信大学大学院情報理工学研究科・総合情報学専攻

• 井上 淳太

  西日本旅客鉄道(株)鉄道本部技術部

• 水口 大知

  (独)産業技術総合研究所

• 長谷部 光雄

  のっぽ技研

• 廣瀬 英雄

  九州工大

• 若松 洋一

  第一工業大学情報電子システム工学科

• 喜多 和

  日本工営

• 貝瀬 徹

  兵庫県立大学大学院

• 謝 国

  日本大学

• 横川 慎二

  ルネサス エレクトロニクス(株)

• 鈴木 浩一

  (独) 宇宙航空研究開発機構

• 平賀 拓磨

  電気通信大学大学院

• 張 暁曦

  NTT環境エネルギー研究所

• 岩田 浩司

  (公財) 鉄道総合技術研究所

• PARK Goeun

  Pusan National University

• HAN Young

  Pusan National University

• 田口 研治

  (独) 産業技術総合研究所

• 相馬 大輔

  (独) 産業技術総合研究所

• 夏目 武

  RAMS_Office

• 黒田 豊

  ディペンダビリティ規格研究会

• 齋藤 博之

  日本電信電話(株)

• 澤田 孝

  日本電信電話(株)

• 戸次 圭介

  (株)日立製作所

• 中村 真理子

  日本電信電話(株)

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学大学院

• 村岡 哲也

  第一工業大学

• 周 杰

  日本大学大学院

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• 村岡 哲也

  第一工業大学情報電子システム工学科

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• 金川 信康

  日立

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

• 作村 建紀

  九州工業大学

• 金川 信康

  (株)日立製作所

• 岩田 浩司

  (公財)鉄道総合技術研究所

• 作村 建紀

  九州工業大学大学院情報工学府|日本学術振興会特別研究員DC2

• 廣瀬 英雄

  九州工業大学大学院情報工学府

• 望月 寛

  日本大学大学院

• 横山 真弘

  電気通信大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• 「ガラパゴス化」と国際規格
• 先端デバイスの故障メカニズムと寿命分布(「信頼性・保全性・安全性の事例:材料・部品・デバイス編」〜信頼性ハンドブック出版から10年を経て〜)
• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
• 5-1 HfSiOxによる仕事関数制御MOSトランジスタにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(セッション5「試験,故障解析,部品,要素技術の信頼性,ハードウェア面」)
• 先端デバイス開発におけるゆらぎとデータ解析(信頼性データの処理)
• 半導体デバイスの信頼性基礎講座(5) : 金属配線の故障物理(信頼性基礎講座)
• 先端LSIにおける配線技術と信頼性(先端LSI技術と信頼性)
• 3.2 サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価(セッション3「故障解析・デバイス(2)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
• シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価
• システムLSIの信頼性を測る(信頼性を測る)
• シングルダマシンCu配線におけるパルス電流下のエレクトロマイグレーション挙動(電子部品)
• 2.1 p-MOSFETにおけるNBTIによる劣化予測モデルに関する一考察(セッション2「故障解析・デバイス(1)」)(第16回信頼性シンポジウム発表報文集)
• 3-2 サドンデス TEG と OBIRCH を用いたダマシン Cu 配線のエレクトロマイグレーション評価
• 信頼性七つ道具--R7(第7回)ワイブル解析
• 日本信頼性学会学会設立20周年記念シンポジウム報告【第24回秋季信頼性シンポジウム】
• 3-3 原子輸送モデルによるCu/Low-k配線のストレス誘起ボイドの解析(セッション3「信頼性試験,データ解析,理論」)
• 日本信頼性学会第21回春季信頼性シンポジウム報告

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク