竹内 潔 | ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

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概要

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• ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部の論文著者

関連著者

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 江崎 達也

  広島大学

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 若林 整

  NECシリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 竹内 潔

  日本電気

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 田辺 昭

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 潔

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 山本 豊二

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 國尾 武光

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 田辺 昭

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 野村 昌弘

  STARC

• 田中 克彦

  MIRAI-Selete

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 宮村 信

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 宮村 信

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 田中 克彦

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  電気通信大学

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 南雲 俊治

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 斉藤 寿男

  ルネサスエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 武田 晃一

  ルネサスエレクトロニクス

• 朝山 忍

  ルネサスエレクトロニクス

• 相本 代志治

  ルネサスエレクトロニクス

• 小畑 弘之

  ルネサスエレクトロニクス

• 伊藤 信哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス

• 長谷 卓

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス:mirai-selete

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

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著作論文

• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 0.15μm CMOSトランジスタの特性
• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
• 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスのばらつき(招待講演,学生・若手研究会)

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