竹内 潔 | ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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概要
関連著者
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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若林 整
ソニー(株)
著作論文
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響