池澤 健夫 | 株式会社NEC情報システムズ

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概要

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• 株式会社NEC情報システムズの論文著者

関連著者

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  広島大学

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 河田 道人

  NEC情報システムズ

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 竹田 裕

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 羽根 正巳

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 内田 尚志

  北海道工大

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 川本 英明

  Necエレクトロニクス(株)

• 辰巳 徹

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 上沢 兼一

  日本電気

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著作論文

• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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