Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• 高移動度デバイスとして期待の高いGeデバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーションにより,短チャネルバルク型歪みGe-pMOSFETの正孔輸送特性の解析を行い,ドレイン電流の応力依存性,チャネル方向ならびに面方位の依存性について,そのメカニズムの解明を試みた.本研究では,単なる移動度に基づく議論を超えた,バルク型MOSFETの実デバイス構造上におけるキャリアのソース注入電流やチャネルでの後方散乱といった,キャリア輸送で重要な要素に基づいた詳細な議論を行う.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-10-23

著者

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹田 裕

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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