飽和V_<th>ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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DIBLに着目することで飽和領域におけるV_<th>ばらつきについて調べた。トランジスタ・アレイの測定よりDIBLは線形V_<th>と相関を持つ特異な統計分布を示すことが判った。3DモンテカルロTCAD計算より、この現象は不純物ランダムばらつき(RDF)によって説明可能であり、特にハロー注入の強いデバイスでは統計的に生じるハローの非対称性が強まり、DIBLばらつきが増すことが判った。実測された線形および飽和V_<th>のばらつきを高精度に統計的回路シミュレーションに取り込む手法も開発し、DIBLばらつきのSRAM安定性への影響を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-19
著者
-
武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
宮村 信
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮村 信
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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