不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
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概要
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シリコン中のヒ素の熱処理時の振る舞いに関して、格子間シリコンおよび空孔という2種の点欠陥とヒ素とのペアを仮定したペア拡散モデルを提案する。ペアの結合エネルギー、ヒ素の不活性化によって放出される格子間シリコンの量などを考慮した結果、新たに格子間シリコンを含有するクラスターを考えることによって、濃度の依存した活性化率の変化、およびAsの不活性化に伴うBの増速拡散などの現象を再現できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-26
著者
-
廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
松本 比呂志
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
廣井 政幸
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
池沢 健夫
NEC情報システムズ
-
羽根 正巳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
松本 比呂志
Necエレクトロニクス
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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