Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
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概要
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太幅配線でのビア下にボイドが形成されるSM不良に対して,Ta/TaNバリア下へのTi層挿入の効果を実証した.8nmのTi層をビア底に挿入することで,ビアEM耐性を劣化させることなく,SM耐性を大幅に改善できた.さらに,ビア抵抗が約25%低減した.また、Ti挿入によってCu配線の比抵抗は影響を受けなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
-
植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
-
林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
-
植木 誠
日本電気株式会杜
-
植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
-
林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社
-
吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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