表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線

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概要

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• 表面改質エッチング技術を用いて、0.36μm(0.18μmφ)の銅/有機低誘電率膜デュアルダマシン構造形成を行った。高分子フロロカーボン含有の窒素リッチプラズマを用いることにより、Low-k膜側壁はエッチング中でフッ化カーボンナイトライド(FCN)に改質されることがわかった。エッチング後の側壁表面はフロロカーボン堆積膜(CF膜)に覆われているが、有機剥離工程で選択的に除去され、FCN膜が表出する。この改質層には、銅の拡散を抑制する効果が認められ、バリアカバレッジの不足を補償しうる。このガス系で形成した銅/有機低誘電率膜配線は高精度に加工されているため、従来プロセスに比べて高歩留まり、高信頼性を確保できることが明らかとなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-01-31

著者

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 斎藤 忍

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

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