新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
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概要
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デバイスの高集積化に伴い,微細で低抵抗な配線が必要である.よりアスペクト比の高い配線で低抵抗を図るため,溝配線方式が有望と考える.アスペクト比の高い溝埋込みに対応するため,ステップカバレージに優れたCVD法を,しかも,低抵抗な材料を用いるため,Al-CVDを採用した.CuのCVDも考えられるが,Cuは層間膜となる酸化シリコンや,シリコン中の拡散が速いため,バリヤメタルが不可欠となる.高抵抗のバリヤメタルは,Cuそのものの抵抗の低さを相殺し,微細化が進むと,Cu配線はAlと同程度以上の抵抗になる.バリヤメタル層無しのサブミクロン溝配線を新しい核形成法を用いたAl-CVDとCMPを組み合わせて実現した.新たな核形成法として,テトラキスジメチルアミノチタン(TDMAT)気相処理を提案し,酸化シリコン上のAl-CVDに対して,核形成促進効果があることを実証し,Al-CVDを用いて,バリヤメタル層無しの高アスペクト比の微細溝埋込みを実現した.本プロセスを用いて,0.5μm幅で600Ω/cmと従来配線より3分の1以下の低抵抗な微細配線が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
岸田 俊二
日本電気株式会社
-
小林 明子
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
-
新澤 勉
日本電気株式会社
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菅井 和己
日本電気株式会社
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小林 明子
日電アネルバ株式会社
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中島 努
日本電気株式会社
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岡林 秀和
日本電気株式会社
-
八子 忠明
住友化学工業株式会社
-
恒成 欣嗣
日本電気株式会社
-
村尾 幸信
日本電気株式会社
-
岸田 俊二
日本電気(株)材料部品分析評価センター
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