CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係

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概要

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Cu配線の実用化が進められる中, アスペクト比の高い配線溝への応用を目的として, 我々はCVD法によるCu膜の成膜について, 埋込み特性が良く, かつ成膜速度の大きい条件を検討した. 今まで成膜温度を高くすると物質移動律速過程と考えられる埋込み特性の悪い領域となり, 成膜速度も80nm/min以上には上がらず飽和傾向にあった. 今回, 反応室の基板付近の構造を変えてガスの流れを変化させたところ, 成膜特性が変わり, 表面反応律速過程をより高温まで維持でき, 100nm/min以上の成膜速度が得られた. このような成膜速度の得られた構造は, 基板付近のガスの流速が速く, 原料の基板表面への供給が速いと考えられる. また, 基板全面で, 流速が速くなるような反応室の構造を用いたところ, 均一性の改善, 及び原料の消費率の向上が実現できた.
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-08-25

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