CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性 : 堆積膜表面からの反射光強度のモニタ

概要

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Chemical Vapor Deposition(CVD)法により作製したアルミニウム(Al)膜(CVD-Al膜)は,膜厚の増加と共に反射率が低下することが知られている.今回,堆積膜表面からの反射光強度をモニタすることによってCVD-Al膜の成長過程の「その場観察」を試みた.その結果,表面からの反射光強度が最大となったとき堆積を終了をすることによって,表面の比較的平滑な膜を再現性良く得ることができた.一方,コンフォーマルな堆積による微細な孔または配線溝への埋込みには,薄い平滑な膜が有効と考えられる.そこでこの方法を用いて平滑な膜を作製し,その膜厚をいくつかの下地膜について比較した.下地膜はチタン(Ti)および窒化チタン(TiN)をスパッタ法により堆積した.またこれらの下地膜のそれぞれに関し,スパッタ後大気にさらさずにCVD-Al膜を行ったもの(真空一貫)とスパッタ後一度大気にさらしたもの(大気ばく露),以上4種類を用いた.結果は真空一貫TiN膜上に形成されたAl膜が60nmと4種類の中で最も薄く,平滑性も良好であった.この真空一貫のTiN膜を下地とすることで孔径または溝幅0.12μmの孔または配線溝への埋込みが期待できる.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-25