関口 敦 | アネルバ株式会社プロセス開発研究所

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概要

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関連著者

• 関口 敦

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 岡田 修

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 小林 明子

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 関口 敦

  日電アネルバ

• 岡田 修

  日電アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  日電アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  日電アネルバ

• 小林 明子

  アネルバ株式会社

• 小出 知昭

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 鈴木 薫

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 肖 石琴

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 細川 直吉

  日電アネルバ研究開発本部

• 岸田 俊二

  日本電気株式会社

• 新澤 勉

  日本電気株式会社

• 菅井 和己

  日本電気株式会社

• 小林 明子

  日電アネルバ株式会社

• 岡林 秀和

  日本電気株式会社

• 八子 忠明

  住友化学工業株式会社

• 張 敏娟

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 國信 隆史

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 砂山 英樹

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 池田 圭

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 戸部 了己

  アネルバ(株)

• 関口 敦

  アネルバ(株)

• 肖 石琴

  アネルバ(株)

• 徐 暁斌

  アネルバ(株)

• 鈴木 薫

  アネルバ(株)

• 土井 浩志

  アネルバ(株)

• 戸部 了己

  日電アネルバ株式会社

• 佐々木 雅夫

  日電アネルバ株式会社

• 門倉 秀公

  住友化学工業株式会社

• 金 瑞元

  日電アネルバ(株)

• 神馬 仁志

  日電アネルバ(株)

• 佐々木 雅夫

  アネルバ株式会社

• 岸田 俊二

  日本電気(株)材料部品分析評価センター

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著作論文

• CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜
• Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
• CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
• TDEATを用いたMOCVD-TiN膜の段差被覆性に与えるNH3添加効果
• Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinysilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper(1)
• 高密度プラズマを用いた化学蒸着(CVD)法によるチタン系薄膜の作製と評価
• CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性 : 堆積膜表面からの反射光強度のモニタ
• 低圧および低温のMO-CVD法によるTiN薄膜の作製
• Point-Cusp-Magnetic Field(PCM)プラズマ源を用いたシリコン高速エッチング技術

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