CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜
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概要
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半導体集積回路素子の配線用Cu膜は, 近年, 電解めっき法によって形成される.デュアルダマシンや, ボーダレス配線化が進み, この電解めっきの下地膜として, 微細で複雑な形状部分に被覆性良くBarrier膜とCu Seed膜を積層成膜する技術が求められてきた.本報告では, このためにCVD法を使用したBarrier/Cu Seedの積層成膜技術を提案する.まず, Cu-CVD法に関して, 薄くて連続膜とするためのSeed膜の形成手法を開発した.重要な点は, インキューベーションタイムのウェハ面内での均一化であった.また, Barrier/Cu Seedの積層を行うための大きな問題点はこの両膜間の密着性の改善であった.今回, 真空一貫の積層成膜を行うことと, アニールを組み合わせることによって密着性を改善することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-23
著者
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岡田 修
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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小林 明子
アネルバ株式会社
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関口 敦
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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小林 明子
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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小出 知昭
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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張 敏娟
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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國信 隆史
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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砂山 英樹
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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鈴木 薫
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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肖 石琴
アネルバ株式会社プロセス開発研究所
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