Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
- CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜
- Gap-filling property of Cu film by chemical vapor deposition
- CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
- TDEATを用いたMOCVD-TiN膜の段差被覆性に与えるNH3添加効果
- Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinysilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper(1)
- 高密度プラズマを用いた化学蒸着(CVD)法によるチタン系薄膜の作製と評価
- CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性 : 堆積膜表面からの反射光強度のモニタ
- 低圧および低温のMO-CVD法によるTiN薄膜の作製
- Point-Cusp-Magnetic Field(PCM)プラズマ源を用いたシリコン高速エッチング技術