岡田 修 | アネルバ株式会社プロセス開発研究所

スポンサーリンク

概要

• 岡田 修の詳細を見る
• 同名の論文著者
• アネルバ株式会社プロセス開発研究所の論文著者

関連著者

• 岡田 修

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 関口 敦

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 小林 明子

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 関口 敦

  日電アネルバ

• 岡田 修

  日電アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  日電アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  アネルバ株式会社

• 細川 直吉

  日電アネルバ

• 小林 明子

  アネルバ株式会社

• 小出 知昭

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 細川 直吉

  日電アネルバ研究開発本部

• 岸田 俊二

  日本電気株式会社

• 新澤 勉

  日本電気株式会社

• 菅井 和己

  日本電気株式会社

• 小林 明子

  日電アネルバ株式会社

• 岡林 秀和

  日本電気株式会社

• 八子 忠明

  住友化学工業株式会社

• 張 敏娟

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 國信 隆史

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 砂山 英樹

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 鈴木 薫

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 肖 石琴

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 池田 圭

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 戸部 了己

  日電アネルバ株式会社

• 佐々木 雅夫

  日電アネルバ株式会社

• 門倉 秀公

  住友化学工業株式会社

• 金 瑞元

  日電アネルバ(株)

• 神馬 仁志

  日電アネルバ(株)

• 佐々木 雅夫

  アネルバ株式会社

• 岸田 俊二

  日本電気(株)材料部品分析評価センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜
• CVD法による銅薄膜の成膜とガスの流れの関係
• Deposition Rate and Gap Filling Characteristics in Cu Chemical Vapor Deposition with Trimethylvinysilyl Hexafluoro-acetylacetonate Copper(1)
• 高密度プラズマを用いた化学蒸着(CVD)法によるチタン系薄膜の作製と評価
• CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性 : 堆積膜表面からの反射光強度のモニタ
• 低圧および低温のMO-CVD法によるTiN薄膜の作製

スポンサーリンク