プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)

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概要

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• 低誘電率有機膜のプラズマ重合法は、従来のスピン塗布法と比較して、同じ材料でありながら耐熱性に優れた低誘電率有機膜を得ることができることをジビニルシロキサンベンゾシクロブテン(DVS-BCB)を用いて実証した。プラズマ重合DVS-BCB膜(以後、p-BCBと記す)は、400℃以上の耐熱性と、塗布法によるBCBより低い比誘電率(k=2.6)を持つ。p-BCB膜においてもCuの耐熱拡散性に優れることから、Cu拡散バリアメタルを用いないCu/p-BCBデュアルダマシン配線を作製した。配線間容量はkeff=3.1であり、SiO_2構造と比較して約20%リングオシレータ動作速度が向上した。さらにビア抵抗はCu/Cu接続によってバリアメタル有りと比較して50%低減した。配線のバリアフリー化によって、ビア抵抗はビア径0.1μmφ世代においても1Ω/via以下を確保可能である。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-11-09

著者

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 川原 潤

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 木下 啓蔵

  NEC

• 大竹 浩人

  東北大

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 廣井 政幸

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 木下 啓蔵

  半導体先端テクノロジーズ

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 川原 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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