ユビキタス時代に対応したLSIデバイスの構造変革 : RF特性の及ぼす寄生抵抗・容量の影響(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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ユビキタス時代の到来により、大規模ハイエンドLSIから高性能通信機能を混載した中小規模LSIにテクノロジードライバーが移りつつある。今後、高コストな超多層配線(>10層)を用いることなく、限られた多層配線層数内で高周波MOSトランジスタや受動素子・配線の性能をいかに向上させるかが重要となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-29
著者
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
-
HAYASHI Yoshihiro
Device Platforms Research Labs., NEC.
-
Hayashi Yoshihiro
Nec Corporation
-
Hayashi Yoshihiro
LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan
-
Hayashi Yoshihiro
Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan
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