低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証

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概要

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• 低誘電率(Low-k)有機膜に対し, SiO_2/SiNダブルハードマスクを用いたCuデュアルダマシン配線形成プロセスについて検討を加えた。Low-k有機膜内のビア/トレンチ接合部の肩落ち量の抑制には、ビア側面のCFx保護膜補強が有効であることが見出された。この観点から、ハードマスクへの"ビアパターン先転写プロセス"と比較して、デポ性ガスを用いた有機膜へのビアエッチングが可能な"トレンチパターン先転写プロセス"の優位性が実証された。また、配線寄生容量低減には下層SiNハードマスクの薄膜化が有効で、低k有機膜(k=2.65)との組み合わせにより、従来配線と比較して約30%の配線間容量の低減が確認された。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-01-23

著者

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 川原 潤

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 木下 啓蔵

  NEC

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 木下 啓蔵

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 宇佐美 達也

  NEC先端デバイス開発本部

• 廣井 政幸

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 利根川 丘

  NEC先端デバイス開発本部

• 柴 和利

  NEC先端デバイス開発本部

• 斎藤 忍

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 木下 啓蔵

  半導体先端テクノロジーズ

• 川原 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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