林 喜宏 | Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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概要
関連著者
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
東北大
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
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小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
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豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
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小池 洋紀
NECシリコンシステム研究所
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三輪 達
NECシリコンシステム研究所
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山田 淳一
NECシリコンシステム研究所
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豊島 秀雄
NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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岡本 祐治
NECアイシーマイコンシステムマイクロコンピュータ第一開発部
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沖崎 宏明
NECマイクロコンピュータ事業部
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宮坂 洋一
NEC基礎研究所
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宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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五味 秀樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
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北島 洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山田 純一
日本電気(株)
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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木下 啓蔵
NEC
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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宮本 秀信
Nec
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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池田 秀寿
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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野村 昌弘
STARC
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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野村 昌弘
Nec
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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池田 秀寿
中央大学
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
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石川 彰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター半導体miraiプロジェクト
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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中野 昭典
半導体mirai-aset
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清野 豊
産業総合研究所
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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国見 信孝
半導体MIRAI-ASET
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石川 彰
半導体MIRAI-ASET
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清野 豊
半導体MIRAI-産総研ASRC
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尾形 哲郎
半導体MIRAI-ASET
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高橋 秀樹
半導体MIRAI-ASET
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園田 譲
半導体MIRAI-ASET
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後藤 隆
半導体MIRAI-ASET
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高田 省三
半導体MIRAI-産総研ASRC
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市川 理恵
半導体MIRAI-産総研ASRC
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三好 秀典
半導体MIRAI-ASET
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松尾 尚典
半導体MIRAI-ASET
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足立 三郎
半導体MIRAI-ASET
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吉川 公麿
半導体MIRAI-産総研ASRC
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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市川 理恵
半導体mirai-asrc-aist
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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高田 省三
半導体mirai-asrc-aist
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
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伊藤 文則
NECデバイスプラットフォーム研究所
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竹内 常雄
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山本 博規
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
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松尾 尚典
技術研究組合 超先端電子技術開発機構半導体MIRAIプロジェクト
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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中沢 絵美子
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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池永 佳史
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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田村 貴央
Necel
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシステムデバイス基礎研究本部
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宇佐美 達也
NEC先端デバイス開発本部
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廣井 政幸
NECシステムデバイス基礎研究本部
-
利根川 丘
NEC先端デバイス開発本部
-
柴 和利
NEC先端デバイス開発本部
-
斎藤 忍
NECシステムデバイス基礎研究本部
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遠藤 伸裕
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
深井 利憲
Necエレクトロニクス
-
岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
横川 慎二
電気通信大学
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吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
-
吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
HAYASHI Yoshihiro
Device Platforms Research Labs., NEC.
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古谷 晃
NEC
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Kikkawa Takamaro
Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And
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Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- C-12-36 微細CMOS大容量SRAMの高速化のための差動構成オフセットキャンセル型センスアンプ(DOCSA)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
- 3次元IC (半導体デバイス)
- 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?