小田 典明 | NECエレクトロニクス株式会社

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概要

• 同名の論文著者
• NECエレクトロニクス株式会社の論文著者

関連著者

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小田 典明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小田 典明

  Necエレクトロニクス(株)

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 阿部 真理

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 成広 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山本 博規

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 関根 誠

  名古屋大学

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 関根 誠

  名大

• 大竹 浩人

  東北大

• 井村 裕則

  Necエレクトロニクス(株)

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 田上 政由

  日本電気(株)

• 國嶋 浩之

  NECエレクトロニクス(株)

• 曽祢 修次

  NECエレクトロニクス(株)

• 大西 貞之

  NECエレクトロニクス(株)

• 山田 健太

  NECエレクトロニクス(株)

• 林 善宏

  日本電気(株)

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 45nm CMOSアプリケーション毎の配線構造最適化のための設計コンセプト:ASIS(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

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