林 喜宏 | マイクロエレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• マイクロエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NEC シリコンシステム研究所

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 木下 啓蔵

  NEC

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 植木 誠

  日本電気株式会杜

• 山田 淳一

  Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部

• 小池 洋紀

  NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部

• 豊島 秀雄

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 小池 洋紀

  NECシリコンシステム研究所

• 三輪 達

  NECシリコンシステム研究所

• 山田 淳一

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NECシリコンシステム研究所

• 波田 博光

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 岡本 祐治

  NECアイシーマイコンシステムマイクロコンピュータ第一開発部

• 沖崎 宏明

  NECマイクロコンピュータ事業部

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 五味 秀樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北島 洋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山田 純一

  日本電気(株)

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 関根 誠

  名古屋大学

• 関根 誠

  名大

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 井上 尚也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 古武 直也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 井上 尚也

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  NECシステムデバイス研究所

• 川原 潤

  NECシステムデバイス研究所

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 阿部 真理

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 齋藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 吉木 政行

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  NECシステムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 山本 博規

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小林 一雄

  株式会社 岡本工作機械製作所

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 小林 一雄

  (株)岡本工作機械製作所

• 左光 大和

  (株)岡本工作機械製作所

• 山本 栄一

  (株)岡本工作機械製作所

• 田中 潔

  (株)岡本工作機械製作所

• 佐々木 直樹

  (株)岡本工作機械製作所

• 栗野 元一郎

  (株)岡本工作機械製作所

• 川原 潤

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  半導体MIRAI-ASET

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス(株)

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 吉川 公麿

  広島大学:産業総合研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 大島 永康

  産総研

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 上殿 明良

  筑波大学物理工学科

• 齋藤 忍

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 山本 博規

  NECシステムデバイス研究所

• 笠間 佳子

  NECELプロセス技術事業部

• 戸原 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECELプロセス技術事業部

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 井上 尚也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  NECシステムデバイス研究所

• 井上 尚也

  NEC シリコンシステム研究所

• 成広 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小田 典明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 大島 永康

  産業技術総合研究所

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 田辺 伸広

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 小林 壮太

  NEC

• 天沼 一志

  NECシリコンシステム研究所

• 前島 幸彦

  NECシリコンシステム研究所

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 吉野 雄信

  半導体mirai-asrc-aist

• 風間 賢也

  NECマイクロコンピュータ事業部

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 石川 彰

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター半導体miraiプロジェクト

• 吉田 和由

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 小田 典明

  Necエレクトロニクス(株)

• 中野 昭典

  半導体mirai-aset

• 清野 豊

  産業総合研究所

• 児玉 光測

  (株)岡本工作機械製作所

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 上殿 明良

  筑波大学・物理工学系

• 国見 信孝

  半導体MIRAI-ASET

• 石川 彰

  半導体MIRAI-ASET

• 清野 豊

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 尾形 哲郎

  半導体MIRAI-ASET

• 高橋 秀樹

  半導体MIRAI-ASET

• 園田 譲

  半導体MIRAI-ASET

• 後藤 隆

  半導体MIRAI-ASET

• 高田 省三

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 市川 理恵

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 三好 秀典

  半導体MIRAI-ASET

• 松尾 尚典

  半導体MIRAI-ASET

• 足立 三郎

  半導体MIRAI-ASET

• 吉川 公麿

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 田辺 伸広

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 斉藤 忍

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 常雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 小林 壮太

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前島 幸彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 務

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 天沼 一志

  NEC基礎研究所

• 長谷 卓

  NEC基礎研究所

• 市川 理恵

  半導体mirai-asrc-aist

• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 吉田 和由

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 岸田 俊二

  日本電気株式会社

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 高田 省三

  半導体mirai-asrc-aist

• 小林 明子

  アネルバ株式会社プロセス開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 竹内 常雄

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山本 博規

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 川原 潤

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 松尾 尚典

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構半導体MIRAIプロジェクト

• 新澤 勉

  日本電気株式会社

• 菅井 和己

  日本電気株式会社

• 小林 明子

  日電アネルバ株式会社

• 中島 努

  日本電気株式会社

• 岡林 秀和

  日本電気株式会社

• 八子 忠明

  住友化学工業株式会社

• 恒成 欣嗣

  日本電気株式会社

• 村尾 幸信

  日本電気株式会社

• 菊田 邦子

  日本電気(株)

• 中島 務

  日本電気(株)

• 隣 真一

  日本電気(株)

• 吉川 公麿

  日本電気(株)

• 菊田 邦子

  ULSIデバイス開発研究所

• 中島 務

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 上野 和良

  ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 山田 泰久

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

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著作論文

• グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
• 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
• 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
• 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第2報 基本構成
• インテリジェントCMP(PNX200 : PASCAL)の開発 第1報 基本概念
• A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
• 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
• Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-Al埋込配線形成
• Alダマシンプロセスによる多層配線形成
• アルミリフロースパッタ埋め込みとCMPによる溝配線形成
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
• 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
• プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
• プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
• EB直描を用いた先端デバイスの試作
• 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
• 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
• 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
• サブ0.1μm次世代LSIにおけるナノ界面制御技術による銅配線信頼性制御技術
• 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
• パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
• 3次元IC (半導体デバイス)
• 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
• ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
• Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
• InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)

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