山本 博規 | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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概要
関連著者
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
名古屋大学
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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関根 誠
名大
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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植木 誠
日本電気株式会杜
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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大竹 浩人
東北大
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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伊藤 文則
NECデバイスプラットフォーム研究所
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竹内 常雄
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山本 博規
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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本多 広一
ルネサスエレクトロニクス実装・テスト技術統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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井口 学
ルネサスエレクトロニクスデバイス・解析技術統括部
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植木 誠
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
山本 博規
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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堀越 賢剛
ルネサスエレクトロニクスプラットフォームインテグレーション統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 (シリコン材料・デバイス)
- 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)