古武 直也 | 日本電気株式会社システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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植木 誠
日本電気株式会杜
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大竹 浩人
東北大
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斉藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小田 典明
NECエレクトロニクス株式会社
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小田 典明
Necエレクトロニクス(株)
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
NEC
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制