植木 誠 | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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概要
関連著者
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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大竹 浩人
東北大
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECシステムデバイス研究所
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竹内 常雄
NECシステムデバイス研究所
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古武 直也
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
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伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
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原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
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大竹 浩人
NECシステムデバイス研究所
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田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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肱岡 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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三浦 隆利
東北大学大学院 工学研究科化学工学専攻
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青木 秀之
東北大学大学院工学研究科
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関根 誠
名古屋大学
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関根 誠
名大
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福田 耕一
新日本製鐵(株)製銑研究開発部
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福田 耕一
新日鐵(株)環境・プロセス研究開発センター
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福田 耕一
新日本製鐵(株)環境・プロセス研究開発センター
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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青木 秀之
東北大学大学院
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三浦 隆利
東北大 大学院
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三浦 隆利
東北大学大学院
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福田 耕一
新日本製鐵(株)技術開発本部環境プロセス研究開発センター
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福田 耕一
新日本製鐵(株)技術開発本部 環境プロセス研究開発
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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井上 尚也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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齋藤 忍
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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古武 直也
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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山本 博規
NECシステムデバイス研究所
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川原 潤
NECシステムデバイス研究所
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笠間 佳子
NECELプロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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戸原 誠
NECELプロセス技術事業部
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関根 誠
NECELプロセス技術事業部
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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田村 貴央
NECELプロセス技術事業部
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新井 浩一
NECシステムデバイス研究所
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藤井 清
NECELプロセス技術事業部
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山本 博規
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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加藤 健次
新日本製鐵(株)
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加藤 健次
新日本製鐵
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後藤 和也
東北大学 大学院工学研究科化学工学専攻
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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川原 潤
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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板垣 省三
NKK総合材料技術研究所
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鈴木 朗
東北大学大学院
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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加藤 健次
新日本製鐵(株)鉄鋼研究所
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井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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田村 貴央
Necel
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
板垣 省三
Nnk Corporation
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後藤 和也
東北大学大学院工学研究科
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植木 誠
東北大学大学院工学研究科
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
鈴木 朗
東北大学大学院工学研究科化学工学専攻
-
本多 広一
ルネサスエレクトロニクス実装・テスト技術統括部
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
-
井口 学
ルネサスエレクトロニクスデバイス・解析技術統括部
-
植木 誠
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
山本 博規
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
堀越 賢剛
ルネサスエレクトロニクスプラットフォームインテグレーション統括部
-
泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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植木 誠
厚生労働省医政局医事課医師臨床研修推進室
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 密度変調Low-k膜を用いた32nm世代対応Cu配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(k_=2.75)技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- 高充填密度石炭の熱間引張試験法の開発
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証 (シリコン材料・デバイス)
- 石炭軟化溶融時の膨張挙動のモデル化(コークスプロセス工学の展開)
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- サブ0.1μm次世代LSIにおけるナノ界面制御技術による銅配線信頼性制御技術
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)
- SP-3-3 臨床研修制度の現状と今後の見通しについて(SP-3 特別企画(3)外科志望者を増やすために,今やるべきことは?,第112回日本外科学会定期学術集会)