廣井 政幸 | NECエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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廣井 政幸
NECエレクトロニクス株式会社
-
小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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古武 直也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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多田 宗弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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古武 直也
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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植木 誠
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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大竹 浩人
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田上 政由
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
多田 宗弘
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
原田 恵充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
原田 恵充
NECシステムデバイス研究所
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植木 誠
日本電気株式会杜
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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木下 啓蔵
NEC
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大竹 浩人
東北大
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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伊藤 文則
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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竹内 常雄
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
多田 宗弘
NECシステムデバイス研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
-
阿部 真理
NECシステムデバイス研究所
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小野寺 貴弘
NECシステムデバイス研究所
-
川原 潤
NECシステムデバイス研究所
-
成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
伊藤 文則
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
阿部 真理
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
井上 尚也
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
竹内 常雄
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
齋藤 忍
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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吉木 政行
NECシステムデバイス研究所
-
田上 政由
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NEC シリコンシステム研究所
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関根 誠
名古屋大学
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川原 潤
半導体MIRAI-ASET
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木下 啓蔵
半導体MIRAI-ASET
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関根 誠
名大
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田上 政由
NEC Electronics Corporation
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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廣井 政幸
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
斎藤 忍
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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木下 啓蔵
NECシステムデバイス基礎研究本部
-
宇佐美 達也
NEC先端デバイス開発本部
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廣井 政幸
NECシステムデバイス基礎研究本部
-
利根川 丘
NEC先端デバイス開発本部
-
柴 和利
NEC先端デバイス開発本部
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斎藤 忍
NECシステムデバイス基礎研究本部
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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松本 比呂志
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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廣井 政幸
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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池沢 健夫
NEC情報システムズ
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羽根 正巳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
吉木 政行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
古谷 晃
NEC
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
松本 比呂志
Necエレクトロニクス
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
著作論文
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価