田上 政由 | Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

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概要

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• Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所の論文著者

関連著者

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大竹 浩人

  東北大

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 阿部 真理

  NECシステムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田上 政由

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 林 喜宏

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 成広 充

  NECシステムデバイス研究所

• 多田 宗弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 新井 浩一

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 古武 直也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECシステムデバイス研究所

• 北野 友久

  Necエレクトロニクス株式会社

• 北野 友久

  NEC Electronics Corporation

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 北野 友久

  日本電気(株)

• 井上 尚也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 古武 直也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  NECシステムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  NECシステムデバイス研究所

• 伊藤 文則

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 原田 恵充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 阿部 真理

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 小野寺 貴弘

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 大竹 浩人

  NECシステムデバイス研究所

• 肱岡 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 小田 典明

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小田 典明

  Necエレクトロニクス(株)

• 北野 友久

  NECエレクトロニクス(株)

• 関根 誠

  名古屋大学

• 関根 誠

  名大

• 木下 啓蔵

  NEC

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 成瀬 宏

  東芝株式会社

• 田上 政由

  NEC Electronics Corporation

• 成瀬 宏

  東芝

• 中村 典生

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 中村 直文

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 齋藤 忍

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 井上 尚也

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 常雄

  NECシステムデバイス研究所

• 古武 直也

  NECシステムデバイス研究所

• 川原 潤

  NECシステムデバイス研究所

• 植木 誠

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 成廣 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 井上 尚也

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 齋藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 吉木 政行

  NECシステムデバイス研究所

• 新井 浩一

  NECシステムデバイス研究所

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 林 喜宏

  NEC シリコンシステム研究所

• 成広 充

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 山本 博規

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 植木 誠

  日本電気株式会杜

• 松永 範昭

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 宮島 秀史

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松永 範昭

  東芝

• 猪原 正弘

  東芝

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部

• 山口 人美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター高性能CMOSデバイス開発部

• 尾本 誠一

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 坂田 敦子

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 金子 尚史

  (株)東芝セミコンダクター社

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 側瀬 聡文

  東芝株式会社

• 尾本 誠一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山下 創一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 羽多野 正亮

  (株)東芝セミコンダクター社

• 和田 純一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 用正 武

  (株)東芝セミコンダクター社

• 今水 健太郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山田 雅基

  (株)東芝セミコンダクター社

• 蓮沼 正彦

  (株)東芝セミコンダクター社

• 高橋 新吾

  ソニー(株)

• 山田 敦彦

  ソニー(株)

• 長谷川 利昭

  ソニー(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 中山 武雄

  東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 川原 潤

  半導体MIRAI-ASET

• 木下 啓蔵

  半導体MIRAI-ASET

• 坂田 敦子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 岩本 敏幸

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 松岡 史倫

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 山口 人美

  (株)東芝セミコンダクター社

• 香川 恵永

  ソニー株式会社

• 榎本 容幸

  ソニー株式会社

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 佐々木 俊行

  (株)東芝セミコンダクター社

• 井村 裕則

  Necエレクトロニクス(株)

• 青田 正司

  東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部

• 東 和幸

  (株)東芝セミコンダクター社

• 佐々木 俊行

  東芝

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 青田 正司

  東芝

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 中嶋 一明

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 犬宮 誠治

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 長谷川 英司

  Nec Electronics Corporation

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 中嶋 一明

  東芝

• 中嶋 一明

  東芝 セミコンダクター社

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 渡邊 桂

  東芝株式会社

• 亀嶋 隆季

  ソニー株式会社

• 増田 秀顕

  東芝株式会社

• 島田 美代子

  東芝株式会社

• 中村 直文

  東芝株式会社

• 宮島 秀史

  東芝株式会社

• 長友 浩二

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 長谷川 俊介

  東芝

• 北村 陽介

  東芝

• 高畑 和宏

  東芝

• 岡本 浩樹

  東芝

• 宮下 桂

  東芝

• 石田 達也

  東芝

• 福島 崇

  東芝

• 原川 秀明

  東芝

• 石塚 竜嗣

  東芝

• 小向 敏章

  東芝

• 長友 浩二

  東芝

• 三本木 省次

  東芝

• 中塚 圭祐

  東芝

• 西郡 正人

  東芝

• 野町 映子

  東芝

• 小川 竜二

  東芝

• 岡本 晋太郎

  東芝

• 岡野 公俊

  東芝

• 沖 知普

  東芝

• 小野田 裕之

  東芝

• 佐竹 正城

  東芝

• 鈴木 陽子

  東芝

• 内海 邦明

  東芝

• 渡部 忠兆

  東芝

• 吉水 康人

  東芝

• 平井 友洋

  NEC Electronics Corporation

• 相澤 宏一

  NEC Electronics Corporation

• 岩本 敏幸

  NEC Electronics Corporation

• 刈谷 奈由太

  NEC Electronics Corporation

• 村松 諭

  NEC Electronics Corporation

• 永原 誠司

  NEC Electronics Corporation

• 中原 寧

  NEC Electronics Corporation

• 岡田 紀雄

  NEC Electronics Corporation

• 鈴木 達也

  NEC Electronics Corporation

• 竹田 和浩

  NEC Electronics Corporation

• 田中 聖康

  NEC Electronics Corporation

• 谷口 謙介

  NEC Electronics Corporation

• 富永 誠

  NEC Electronics Corporation

• 筒井 元

  NEC Electronics Corporation

• 渡辺 普

  NEC Electronics Corporation

• 後藤 啓郎

  NEC Electronics Corporation

• 中村 典生

  NEC Electronics Corporation

• 東 篤志

  東芝

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 松岡 史倫

  東芝

• 中沢 絵美子

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 相澤 宏一

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 渡部 忠兆

  株式会社東芝半導体研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝

• 金子 尚史

  (株)東芝 Ul研

• 田村 貴央

  Necel

• 廣井 政幸

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 斎藤 忍

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 木下 啓蔵

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 宇佐美 達也

  NEC先端デバイス開発本部

• 廣井 政幸

  NECシステムデバイス基礎研究本部

• 利根川 丘

  NEC先端デバイス開発本部

• 柴 和利

  NEC先端デバイス開発本部

• 斎藤 忍

  NECシステムデバイス基礎研究本部

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著作論文

• 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
• グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
• 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
• TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
• 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
• プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
• 45nm CMOSアプリケーション毎の配線構造最適化のための設計コンセプト:ASIS(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価

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