田上 政由 | Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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概要
関連著者
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
日本電気株式会社
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小野寺 貴弘
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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斉藤 忍
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 忍
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
- 低コストと高性能を両立させた65nmノード対応多層配線技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ポアシールを用いた65nm-node対応多層配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 層間絶縁膜の空孔構造制御によるULSIデバイスの低消費電力化
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)