北野 友久 | NEC Electronics Corporation
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概要
関連著者
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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北野 友久
日本電気(株)
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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成瀬 宏
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- フラッシュメモリー過剰消去メカニズムの解析 : スケーリング則に対する新しい制約