宇佐美 達矢 | Necエレクトロニクス株式会社
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概要
関連著者
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宇佐美 達矢
Necエレクトロニクス株式会社
-
宇佐美 達矢
NECエレクトロニクス(株)
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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関根 誠
NECエレクトロニクス株式会社
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宮島 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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黒川 哲也
NECエレクトロニクス(株)
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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島田 美代子
東芝株式会社
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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黒川 哲也
Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部
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三浦 幸男
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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宇佐美 達矢
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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小林 千香子
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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永野 修次
大陽日酸株式会社
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大音 光市
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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清水 秀治
大陽日酸株式会社
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加田 武史
株式会社トリケミカル研究所
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大平 達也
株式会社トリケミカル研究所
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藤井 邦宏
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田上 政由
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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大音 光市
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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島田 美代子
(株)東芝セミコンダクター社
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渡邉 桂
(株)東芝セミコンダクター社
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中村 直文
(株)東芝セミコンダクター社
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依田 孝
(株)東芝セミコンダクター社
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矢野 博之
東芝
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松井 聡
Necエレクトロニクス
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川野 連也
NECエレクトロニクス
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高橋 信明
NECエレクトロニクス株式会社実装技術部
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小室 雅宏
NECエレクトロニクス株式会社実装技術部
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土屋 泰章
NECエレクトロニクス(株)
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冨田 隆治
NECエレクトロニクス(株)
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是常 数久
NECエレクトロニクス(株)
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森下 佳昭
NECエレクトロニクス(株)
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川野 達也
NECエレクトロニクス(株)
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側瀬 聡文
東芝株式会社
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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北野 友久
NECエレクトロニクス(株)
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森下 佳昭
Necエレクトロニクス株式会社第二soc事業本部socシステム事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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矢野 博之
(株)東芝
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矢野 博之
(株)東芝セミコンダクター社
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島山 努
ソニー(株)
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榎本 容幸
ソニー(株)
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宮嶋 秀史
(株)東芝セミコンダクター社
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川野 達也
Necエレクトロニクス株式会社実装技術部
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川野 連也
Necエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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渡邊 桂
東芝株式会社
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亀嶋 隆季
ソニー株式会社
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増田 秀顕
東芝株式会社
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中村 直文
東芝株式会社
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宮島 秀史
東芝株式会社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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北野 友久
NEC Electronics Corporation
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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川野 達也
Necエレクトロニクス
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鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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北野 友久
日本電気(株)
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成瀬 宏
東芝
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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川原 尚由
NECエレクトロニクス(株)
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
Necエレクトロニクス株式会社
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横川 慎二
電気通信大学
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菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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竹脇 利至
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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鈴木 三恵子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
豊嶋 宏徳
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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土屋 楽章
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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泰地 稔二
NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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渡邉 桂
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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土屋 泰章
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術事業部
-
角原 由美
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
渡邉 桂
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
土屋 秀昭
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
-
川原 尚由
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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土屋 泰章
Necエレクトロニクス
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社
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島田 美代子
(株)東芝 半導体研究開発センター
著作論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- C-12-4 高密度貫通電極スペーサーを用いたワイドバスCoC(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k
- 新プリカーサーを用いた低透水性バリア Low-k SiC 膜(k