鈴木 三恵子 | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

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関連著者

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 刈谷 奈由太

  NEC Electronics Corporation

• 筒井 元

  NEC Electronics Corporation

• 筒井 元

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角田 一晃

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 刈谷 奈由太

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 秋山 豊

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 阿部 倫久

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• 丸山 信也

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 深瀬 匡

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 筒井 元

  Necエレクトロニクス(株)

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

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著作論文

• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)

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