今井 清隆 | NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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概要
関連著者
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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松田 友子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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堀内 忠彦
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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小山 晋
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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大西 秀明
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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坂本 圭司
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤原 秀二
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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永瀬 正俊
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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横川 慎二
NECエレクトロニクス
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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松岡 史倫
東芝
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君塚 直彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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岡田 紀雄
NECエレクトロニクス先端デバイス開発部
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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横川 慎二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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石上 隆司
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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藤田 繁
ソニー株式会社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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三宅 慎一
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山崎 崇
ソニー株式会社
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩本 俊幸
NECエレクトロニクス株式会社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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木村 泰巳
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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大島 亮介
ソニー株式会社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
ソニー株式会社
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新山 卓
ソニー株式会社
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手塚 友樹
ソニー株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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長岡 弘二郎
ソニー株式会社
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村松 諭
NECエレクトロニクス株式会社
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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三本木 省二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉田 健司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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斉藤 正樹
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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成瀬 宏
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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桑田 孝明
NECエレクトロニクス株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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国宗 依信
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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大島 享介
ソニー株式会社
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECシステムデバイス研究所
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深井 利憲
NECシステムデバイス研究所
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真壁 昌里子
NECエレクトロニクスプロセス技術事業部
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後藤 啓郎
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山本 豊二
NECシステムデバイス研究所
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
-
刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
-
村松 諭
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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松原 義久
NEC
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松原 義久
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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中村 弘幸
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
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筒井 元
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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角田 一晃
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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刈谷 奈由太
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
秋山 豊
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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阿部 倫久
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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丸山 信也
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
深瀬 匡
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
鈴木 三惠子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
井口 学
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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角原 由美
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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土屋 秀昭
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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戸原 誠人
NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
-
渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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小山 晋
NEC エレクトロニクス(株)
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猪原 正弘
東芝
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猪原 正弘
東芝セミコンダクターカンパニー
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本多 健二
東芝セミコンダクターカンパニー
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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君島 秀樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
岡本 和之
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
藤田 悟
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
大谷 寛
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森藤 英治
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
五十嵐 弘文
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
平井 友洋
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
木下 功一
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
森本 寿喜
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小林 幸子
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
姜 帥現
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
堀内 忠彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
深井 利憲
NEC、シリコンシステム研究所
-
東郷 光洋
NEC、シリコンシステム研究所
-
保国 裕美
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
小野田 中
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
山夕 貴子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
工藤 智彦
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部
-
小野 篤樹
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
深作 克彦
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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平井 友洋
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
真壁 真理子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
松田 友子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
国宗 依信
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
瀧本 道也
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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池澤 延幸
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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山田 泰久
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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小場 文夫
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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今井 清隆
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
-
中村 典生
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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小野 篤樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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深作 克彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
池澤 延幸
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
-
林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
飯塚 貴弘
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
-
Liu C.T.
Bell Labs, Lucent Technologies
-
Keller R.C.
Bell Labs, Lucent Technologies
-
山口 謙介
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
獅子口 清一
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
君塚 直彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
著作論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 100nm世代SOC対応CMOSプロセス
- 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 極薄ゲート酸化膜への窒素導入がNBTIに及ぼす影響
- C-11-1 低エネルギーヒ素注入とリンの混合注入によるソース/ドレイン形成技術
- SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
- SOI基板を用いた5マスクCMOS技術
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発