藤原 秀二 | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部の論文著者

関連著者

• 藤原 秀二

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 坂本 圭司

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 中原 寧

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 小山 晋

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 永瀬 正俊

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山縣 保司

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 山縣 保司

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 長谷川 英司

  Nec Electronics Corporation

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 最上 徹

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシステムデバイス研究所

• 深井 利憲

  NECシステムデバイス研究所

• 真壁 昌里子

  NECエレクトロニクスプロセス技術事業部

• 後藤 啓郎

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NECシステムデバイス研究所

• 後藤 啓郎

  NEC Electronics Corporation

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 三宅 慎一

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 松下 欣史

  三洋電機株式会社技術開発本部マテリアル・デバイス技術開発センター

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 深井 利憲

  NEC、シリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NEC、シリコンシステム研究所

• 保国 裕美

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 国宗 依信

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山夕 貴子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 工藤 智彦

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 吉年 慶一

  三洋電機株式会社

• 中原 寧

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 吉年 慶一

  三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 安弘

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 本間 運也

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 藤原 秀二

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 壇 徹

  三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 松下 欣史

  三洋電機株式会社マテリアル・デバイス研究所

• 本間 運也

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

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著作論文

• Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 高温フィールド酸化によるRecessed LOCOSの特性改善

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