深井 利憲 | Necエレクトロニクス
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概要
関連著者
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深井 利憲
Necエレクトロニクス
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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松田 友子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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坂本 圭司
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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小山 晋
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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藤原 秀二
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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永瀬 正俊
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECシステムデバイス研究所
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深井 利憲
NECシステムデバイス研究所
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真壁 昌里子
NECエレクトロニクスプロセス技術事業部
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後藤 啓郎
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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山本 豊二
NECシステムデバイス研究所
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深井 利憲
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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竹内 潔
日本電気
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深井 利憲
MIRAI-Selete
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プトラ アリフィン・タムシル
東京大学
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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植木 誠
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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久米 一平
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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山本 博規
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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川原 潤
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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成広 充
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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成廣 充
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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新井 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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植木 誠
東北大学:(現)新日本製鐵(株)
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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本山 幸一
NECエレクトロニクス(株)
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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三宅 慎一
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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深井 利憲
NEC、シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NEC、シリコンシステム研究所
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保国 裕美
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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国宗 依信
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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小野田 中
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山夕 貴子
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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工藤 智彦
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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有田 幸司
Necエレクトロニクス
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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深井 利憲
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
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本山 幸一
Necエレクトロニクス
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小野 篤樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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深作 克彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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池澤 延幸
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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堀内 忠彦
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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長瀬 寛和
NECエレクトロニクス
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北尾 良平
NECエレクトロニクス
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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小野 篤樹
Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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平本 俊郎
東京大学
著作論文
- 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 40nmノードCMOSプラットフォーム(UX8) (電子デバイス特集) -- (次世代CMOS基盤技術)