堀内 忠彦 | NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部の論文著者

関連著者

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 山品 正勝

  Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部

• 堀内 忠彦

  NEC Corporation

• 相本 代志治

  NEC

• 武田 晃一

  NEC

• 中村 典嗣

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 岩崎 隆弘

  NEC情報システズ

• 野田 研二

  NEC

• 松井 孝二郎

  NEC

• 益岡 完明

  NEC

• 中川 敦

  NEC

• 下川 健寿

  NEC

• 高橋 弘行

  NEC

• 水野 正之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山品 正勝

  Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 住 能和

  NEC情報システムズ

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 安生 健一朗

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 水野 正之

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 岩崎 隆弘

  Nec情報システムズ

• 若林 整

  ソニー(株)

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 深石 宗生

  Nec

• 深石 宗生

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 益岡 宗明

  Nec

• 山品 正勝

  NECラボラトリーズ システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 堀内 忠彦

  Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 後藤 順一

  日本電気株式会社

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 戸田 昭夫

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 齋藤 武博

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 星野 隆道

  (株)NEC情報システムズ基盤ソフトウエア(事)

• 山本 一郎

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 麻多 進

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 伊藤 信哉

  日本電気

• 野口 江

  日本電気

• 堀内 忠彦

  日本電気

• 奥村 孝一郎

  日本電気

• 後藤 順一

  NEC

• 山品 正勝

  NEC

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 山田 八郎

  NEC

• 山田 八郎

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 井上 俊明

  川崎市公害研究所

• 鈴木 一正

  NECシリコンシステム研究所

• 本村 真人

  NEC

• 本村 真人

  NECシリコンシステム研究所

• 熊谷 浩一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 井上 俊明

  NEC

• 本村 真人

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深作 克彦

  ソニー株式会社

• 小関 陽一

  NEC

• 奥村 孝一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 井上 俊明

  NECシリコンシステム研究所

• 熊谷 浩一

  NECULSIデバイス開発研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 小野 篤樹

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 深作 克彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 池澤 延幸

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 鈴木 一正

  Nec

• Benjamin S.Shih

  NEC

• 浜武 伸寿

  NEC

• 小関 陽一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• Shih B

  日本電気 マイクロエレクトロニクス研

• 濱武 伸寿

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 君塚 直彦

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 飯塚 貴弘

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• Liu C.T.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• Keller R.C.

  Bell Labs, Lucent Technologies

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 小野 篤樹

  Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山本 一郎

  Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部

• 野村 昌弘

  Nec

• Liu C.t.

  Bell Labs Lucent Technologies

• Keller R.c.

  Bell Labs Lucent Technologies

• 榎本 忠儀

  中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻

• 君塚 直彦

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 飯塚 貴弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 極微細MOSトランジスタのプロセス誘起応力に関する有限要素解析 : 有限要素応力解析と収束電子線回折によるその妥当性の検討(材料の内部構造と力学特性)
• 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
• オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• 1.0V駆動による高性能70nm CMOS技術
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• 300MHz 16ビット 0.5μm BiCMOS DSP コアLSI
• 極薄ゲート酸化膜への窒素導入がNBTIに及ぼす影響

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