深石 宗生 | 日本電気株式会社シリコンシステム研究所

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概要

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関連著者

• 深石 宗生

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 山口 晃一

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 中村 和之

  日本電気(株)

• 中村 和之

  九州工大

• 山口 晃一

  日本電気株式会社

• 中村 和之

  日本電気株式会社

• 栗栖 正和

  NECシステムULSI開発本部

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 田中 憲一

  日本電気株式会社

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部

• 栗栖 正和

  日本電気株式会社

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 四柳 道夫

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所

• 四柳 道夫

  Nec

• 深石 宗生

  Nec

• 吉田 信秀

  日本電気株式会社

• 竹内 正浩

  日本電気株式会社

• 佐伯 貴範

  日本電気株式会社

• 阪本 雄彦

  日本電気株式会社

• 中川 源洋

  日本電気株式会社

• 中川 源洋

  日本電気株式会社:慶應義塾大学

• 黒田 忠広

  慶應義塾大学

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 桜井 貴康

  東京大学

• 水野 正之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山品 正勝

  Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山品 正勝

  Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部

• 住 能和

  NEC情報システムズ

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 安生 健一朗

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 水野 正之

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 深石 宗生

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 広田 義則

  日本電気株式会社

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 早田 征明

  日本電気株式会社C&Cメディア研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 田子 雅基

  日本電気株式会社

• 森下 泰之

  日本電気株式会社

• 金子 伴行

  日本電気株式会社

• 桜井 貴康

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 黒田 忠広

  慶応義塾大学

• 三浦 典之

  慶應義塾大学

• 新津 葵一

  慶應義塾大学

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 新津 葵一

  慶応大学理工学部

• 井上 眞梨

  慶應義塾大学

• 早田 征明

  日本電気株式会社

• 三浦 典之

  慶應義塾大学理工学部電子工学科黒田研究室

• 三浦 典之

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 山品 正勝

  NECラボラトリーズ システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 佐々木 純一

  山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 水野 正之

  日本電気株式会社

• 水野 正之

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 吉川 隆士

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 加美 伸治

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 加美 伸治

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  日本電気株式会社

• 田中 敬

  Nec生産技術研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 三好 一徳

  日本電気(株)システムプラットフォーム研究所

• 杉本 宝

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 意知郎

  日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所

• 三好 一徳

  日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所

• 工藤 義治

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所

• 内田 浩亨

  日本電気株式会社

• 多胡 州星

  日本電気株式会社

• 中村 和之

  九州工業大学

• 畠山 意知郎

  日本電気株式会社

• 田中 敬

  日本電気株式会社生産技術研究所

• 水野 正之

  Nec システムデバイス研

• 三好 一徳

  光・超高周波デバイス研究所

• 桜井 貴康

  東大

• 杉本 宝

  NEC光デバイス事業部

• 杉本 宝

  日本電気株式会社

• 工藤 義治

  Nec シリコンシステム研

• 加美 伸治

  NECクラウドシステム研究所:東京大学先端科学技術研究センター

• 佐々木 純一

  日本電気株式会社

• 加美 伸治

  日本電気株式会社

• 松本 明

  日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所

• 野瀬 浩一

  日本電気株式会社:慶應義塾大学

• 中澤 陽悦

  日本電気株式会社

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 松本 明

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 葉山 浩

  日本電気株式会社機能デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  Necシステムプラットフォーム研究所

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 安彦 仁

  日本電気株式会社

• 深石 宗生

  日本電気(株)

• 松本 明

  日本電気(株)

• 四柳 道夫

  日本電気(株)

• 蔵田 和彦

  日本電気 ナノエレクトロニクス研究所

• 内田 浩享

  日本電気株式会社

• 高宮 真

  日本電気株式会社

• 中村 聡

  日本電気株式会社

• 森田 将人

  日本電気株式会社

• 佐伯 貴紀

  日本電気株式会社

• 帰山 隼一

  日本電気株式会社

• 須永 和久

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 根立 貴章

  日本電気株式会社

• 菅原 光俊

  NECエレクトロニクスアメリカ(株)

• 塀内 秀樹

  日本電気株式会社

• 池野 英徳

  日本電気株式会社

• 塀内 秀樹

  NEC Corporation

• 池野 英徳

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NEC Corporation

• 葉山 浩

  NECエレクトロニクス

• 秋山 直人

  日本電気(株)

• 秋山 直人

  日本電気株式会社

• 菅原 光俊

  Necエレクトロニクスアメリカ

• 菅原 光俊

  日電

• 溝口 大介

  慶應義塾大学

• 永里 壮一

  日本電気株式会社

• 須永 和久

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気(株)グリーンイノベーション研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 菅原 光俊

  NECエレクトロニクス アメリカ(株)

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著作論文

• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
• C-12-8 0.13μmCMOS5Gbps×20chトランシーバLSI(1)TX
• O.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループ ポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
• 0.13μmCMOSプロセスによる無帰還ループポストイコライザを有する5Gb/sトランシーバの開発
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
• 0.13μm CMOS 5Gbps×20chトランシーバLSI
• C-12-11 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (4)チャネル間同期
• C-12-10 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (3)CDR
• C-12-9 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI(2)IO
• OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s16×16クロスポイントスイッチ
• OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ
• オーバーサンプル・エッジイコライズ技術による12Gb/sデュオ・バイナリ伝送(VLSI一般(ISSCC2005特集))
• C-12-17 CMOS高速クロック&データリカバリ回路の開発
• C-12-13 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
• 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(2)
• C-12-11 フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz 4相クロック発生回路の開発
• 誘導結合型チップ間無線通信における低消費電力デイジーチェーン送信器(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 誘導結合型チップ間無線通信における低消費電力デイジーチェーン送信器(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 1Tb/s 3Wチップ間誘導結合クロックデータトランシーバ(VLSI一般(ISSCC2006特集))
• C-12-59 高速PLLにおける回路遅延による位相余裕の劣化とその影響
• [特別招待論文]高速インターフェースの現状と今後の課題(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速インターフェースの現状と今後の課題

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