栗栖 正和 | NECシステムULSI開発本部
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概要
関連著者
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栗栖 正和
NECシステムULSI開発本部
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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栗栖 正和
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日本電気株式会社
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鷲尾 勝由
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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山口 博史
NECコンピュータ事業部
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根立 貴章
NECコンピュータ事業部
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新井 雅裕
NECコンピュータ事業部
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泊 史朗
NECコンピュータ事業部
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松崎 勉
NECシステムULSI開発本部
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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深石 宗生
NECシリコンシステム研究所
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楢本 真三
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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佐藤 隆徳
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
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日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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田村 貴央
NEC ULSIデバイス開発研究所
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東郷 光洋
NEC ULSIデバイス開発研究所
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NECシステムLSI推進開発本部
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洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
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田辺 昭
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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東郷 光洋
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中村 和之
日本電気(株)
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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内田 浩享
日本電気株式会社
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中村 和之
九州工大
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中村 聡
日本電気株式会社
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森田 将人
日本電気株式会社
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佐伯 貴紀
日本電気株式会社
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金子 信
Nec C&c Lsi開発本部
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根立 貴章
日本電気株式会社
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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栗栖 正和
Nec C&c Lsi開発本部
著作論文
- プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- C-12-8 0.13μmCMOS5Gbps×20chトランシーバLSI(1)TX
- 0.13μm CMOS 5Gbps×20chトランシーバLSI
- C-12-11 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (4)チャネル間同期
- C-12-10 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (3)CDR
- C-12-9 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI(2)IO
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
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