CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-19
著者
-
市野 晴彦
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
栗栖 正和
NECシステムULSI開発本部
-
束原 恒夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
田中 聡
日立製作所中央研究所
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
鷲尾 勝由
日立
-
前多 正
NEC光エレクトロニクス研究所
-
鷲尾 勝由
日立中央研究所
-
大黒 達也
東芝
-
束原 恒夫
Ntt
-
前多 正
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
-
栗栖 正和
Nec
-
市野 晴彦
Ntt
-
前多 正
Nec
-
田中 聡
日立
関連論文
- プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
- A-21-13 実時間応用に向けた2-Mb/s UHF帯無線センサ端末(A-21.センサネットワーク,基礎・境界)
- 低消費電力の2.4GHz帯近距離無線用CMOS LSIに内蔵する送信用電力増幅器
- C-12-17 近距離無線用 LSI に用いる 2.4 GHz 帯 CMOS 電力増幅器
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- SOI回路技術を適用した自然エネルギー携帯端末
- 高抵抗SOI基板を用いたCMOS低雑音増幅器の特性向上
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 2GHz帯オンチップポリフェーズフィルタの高精度化に関する検討
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- LCタンクを用いたSOI低電圧RF回路
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作RF受信機
- CMOS/SIMOX技術によるイメージ抑圧比49dBの1V, 12mW, 2GHz動作にRF受信機
- CMOS/SIMOX技術による1V動作2GHz帯RFフロントエンド回路 (「VLSI一般」)
- CMOS/SOIを用いた無線用低電圧回路技術 (特集論文 極低電力情報端末用LSI)
- C-2-33 周波数レンジ切替機能を持つ6GHz帯低電圧CMOSモノリシックLC共振型VCO
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- SOI CMOSによる低電圧RF回路の試作・評価
- 高抵抗SIMOX基板を用いた2GHz帯1V動作低雑音増幅器
- 高抵抗SIMOX基板を用いたA/D混載回路における基板クロストーク抑制法
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- インバータ遅延時間ばらつき解析
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 超小型2cc, 0.64W, 2.5Gb/s MUレセプタクルー体型光受信モジュール
- 広ダイナミックレンジ・低電力2.4Gb/s光受信用リミッタIC
- 2.4Gb/s識別再生・タイミング抽出PLL-IC
- 3V,2.4Gb/s光受信用無調整等化増幅リミツタIC
- 3.5Gb/s 低電力4B1C符号用MUX/DEMUX回路
- C-12-8 0.13μmCMOS5Gbps×20chトランシーバLSI(1)TX
- B-5-181 EER 式パワーアンプを用いた携帯端末送信系の検討 (1)
- B-5-182 EER 式パワーアンプを用いた携帯端末送信系の検討 (2)
- 極低消費電力CMOS/SOI回路技術
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウエア技術(ユビキタス時代を支える技術)
- [招待講演]ユビキタス・コミュニケーションに向けたハードウェア技術(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 超小型ネットワークアプライアンス実現に向けた低電力回路技術 (特集 HIKARIビジョンの実現に向けたユビキタスサービス(その2)ユビキタスサービスを支える基盤技術)
- B-5-183 受信機低消費電力化方式の検討
- C-12-23 ダイレクトコンバージョン送信方式のGSMシステムへの適用
- 0.13μm CMOS 5Gbps×20chトランシーバLSI
- C-12-11 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (4)チャネル間同期
- C-12-10 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (3)CDR
- C-12-9 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI(2)IO
- 単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
- MOSトランジスタミスマッチと差動利得ばらつきに関する一考察
- 4-1 携帯電話向けトランシーバアーキテクチャ技術と将来展望(4. システムチップ)(日本のモノづくりを支えるJisso技術)
- C-12-21 Fastlock Offset Phase Locked Loop for GSM applications
- A-1-16 270MHz動作CMOS直交変調器
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- CMOS vs. 化合物・バイポーラ : Gb/s, GHz領域
- PLL技術を用いた低電力2.5Gb/sタイミング抽出・識別再生IC
- B-10-100 10ギガビットイーサネット保守管理機能LSSにおける性能監視の一検討(B-10. 光通信システムB(光通信))
- B-8-19 LSSを搭載した10Gb/s Ethernet LAN物理層LSI(B-8. 通信方式)
- C-12-35 10-15Gb/sハーフレートCDR/DEMUX-IC(C-12.集積回路C(アナログ))
- B-8-32 ギガビット・イーサネット物理層の高信頼化技術を適用したエッジルータ I/F カード
- B-8-31 高信頼 10 ギガビットイーサネットメディアコンバータ
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 全差動型プリスケーラと低オフリークチャージポンプを用いたIV, 2.4GHz帯PLLシンセサイザ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 超高速・低電力SDH中継セクション終端LSI
- 超高速・低電力SDH中継セクション終端LSI
- 超高速・低電力SDH中継セクション終端LSI
- Gb/sスタンダードセルの低エネルギー化設計手法
- マルチGbit/s高速低電カバイポーラスタンダードセルLSI設計法
- 低電力2.5Gbit/s SDH端局セクション終端処理LSI
- B-8-18 拡張可能なスイッチ装置(B-8. 通信方式)
- SiバイポーラLSIの低電力化設計法
- CMOS/SOI技術による複素BPFと周波数逓倍器を備えた1V, 2.4GHz動作のFSK受信機
- CMOS/SOI技術による1V動作Bluetooth RFトランシーバー(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- +1V電源で動くRFトランシーバLSIを開発--「RF System on a Chip」を実現へ
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- 2.4GHz帯CMOS低雑音増幅器の低電圧動作
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- CMOS/SIMOX技術による閾値足し算型0.6V動作ボルテージ・リファレンス回路
- SC-2-4 10 Gigabit Ethernet 標準とその拡張技術
- B-10-55 GENIE 保守監視機能付き Gigabit Ethernet メディアコンバータ
- B-10-48 低電力・小型2. 488Gb/s/622Mb/s SDHビットエラーレートモニター用LSI
- 1チップ化SDH中継器終端処理LSIのカウンタ回路構成
- 2.4Gbit/s光伝送(STM-16)RSOH終端処理用低電力LSI
- 全差動型SiバイポーラLSIの設計手法
- 2.0V-Gbit/s動作Siバイポーラ論理回路 : CMCL
- 2V動作Gbit/s低電力Siバイポーラ論理回路 : Current Mirror Control Logic (CMCL)
- 2V動作Gbit/s低電力Siバイポーラ論理回路 : Current Mirror Control Logic (CMCL)
- マルチGbit/s超高速バイポーラLSI設計法
- 0.5-1V 2-GHz RF Front-end Circuits in CMOS/SIMOX〔和文〕 (特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係)
- C-12-11 高速 CDR-IC/PLL 設計手法の検討
- 低ジッタ・低電力 1:8 DEMUX 付 2.5Gb/s Clock & Data Recovery IC
- B-10-125 クロック逓倍回路のジッタ抑圧法
- C-12-18 Dual-loop制御2.5-Gb/s識別・タイミング抽出IC
- C-12-69 Dual-loop 制御 2.5-Gb/s 識別・タイミング抽出IC構成法
- Gbit/s識別・タイミング抽出ICの低ジッタ化の検討
- サンプルホールド型PLL技術を用いたクロック逓倍回路の検討
- 低電力バイポーラクロック分配回路
- 低電力バイポーラクロック分配回路構成の一検討
- 10ギガビットEthernet技術
- SiバイポーラLSIの配線遅延見積手法
- Gbit/sバイポーラスタンダードセルLSI構成法
- バイポーラ派 (ギガビット時代の本命デバイスは? : CMOS? Bipolar? GaAs?)
- BCI-1-4 メトロアクセスを目指すデジタルコヒーレント光通信技術(BCI-1.ディジタルコヒーレント通信技術による光ネットワークの革新とそれを実現するデバイス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-4 メトロアクセスを目指すデジタルコヒーレント光通信技術(BCI-1.ディジタルコヒーレント通信技術による光ネットワークの革新とそれを実現するデバイス技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)