単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT
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概要
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携帯端末の小型化、軽量化へのニーズに応え、多くの端末で高密度な3.5Vリチウム電池が用いられている。通話時間の拡大のため、消費電力の大きなHPAは、3.5Vで動作し、かつ、より高効率、高利得であることが求められる。また、通常HPAに用いられるGaAs FETは、端末の中で唯一、負電源を必要とするため、負電源レス化が求められている。従来より我々は、Pt埋め込みゲートによる負電源レス化、デュアルゲートFET採用による高利得、高効率化の検討を行ってきた。今回、第2ゲートをパターン内で接地することにより、3端子素子として動作する高出力Dual-gate FETを実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
田中 聡
(株)日立製作所中央研究所
-
中村 徹
(株)日立製作所中央研究所
-
谷本 琢磨
日立製作所 中央研究所
-
中村 徹
日立製作所 中央研究所
-
大部 功
日立製作所中央研究所
-
河合 秋絵
日立製作所中央研究所
-
田中 聡
日立製作所中央研究所
-
工藤 真
日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学工学部電気電子工学科
-
大部 功
(株)ルネサステクノロジ
-
河合 秋江
(株)日立製作所中央研究所
-
河合 秋絵
?日立製作所中央研究所
-
中村 徹
法政大学 マイクロ・ナノテクノロジー研究センター
-
谷本 琢磨
日立製作所中央研究所
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