高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析
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概要
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高濃度n-GaASドープチャネルの300Kでの低電界輸送特性をモンテカルロシミュレーションにより解析した。深さ方向に量子化した2次元ガスの遮蔽効果をとりいれたクーロンポテンシャルを用いて、電子不純物相互作用を求めることにより、電子移動度の面積当りの電子濃度依存性とn-GaAs層の層厚依存性を調べた。電子濃度が低いときは、電子濃度の増加とともに移動度が大きくなり、その値は層厚に依存しないこと、電子濃度が高いときは、移動度がバルクの値に近づくことを示した。これらのことは2次元系から3次元系への遷移から説明でき、さらに実験からも確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-17
著者
-
水田 博
東京工業大学大学院理工学研究科
-
大部 功
日立製作所中央研究所
-
大部 功
(株)日立製作所中央研究所
-
加賀谷 修
(株)日立製作所中央研究所
-
大倉 康幸
(株)日立製作所中央研究所
-
井原 茂男
日立製作所中央研究所
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水田 博
日立製作所中央研究所
-
加賀谷 修
日立製作所中央研究所
-
大倉 康幸
日立製作所中央研究所
-
片山 弘造
日立製作所中央研究所
-
井原 茂男
(株)日立製作所中央研究所
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大部 功
日立 中研
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