フラッシュメモリ書き換え特性のゲート形状依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
フラッシュメモリの設計における課題の一つとして,書き込み・消去速度の制御が挙げられるが,これらに対処するにはデバイス動作の詳細な解析を必要とする。そこでデバイスシミュレータCADDETH3をベースに,書き換えにFNトンネリングを利用するフラッシュメモリの書き込み・消去特性を解析するシミュレータを構成した。フローティングゲートエッジ部における電界・電流集中の度合を定量的に評価することは,書き込み・消去特性の精度良い評価を行う上で不可欠であるため,フローティングゲートエッジ形状が特性に及ぼす影響について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
井原 茂男
(株)日立製作所ライフサイエンス推進事業部
-
奥山 裕
(株)日立製作所中央研究所
-
奥山 裕
日立製作所・中央研究所
-
井原 茂男
(株)日立製作所中央研究所
-
岡田 学
(株)日立製作所半導体事業部
関連論文
- 科学計算ソフト複合化支援ミドルウェアを用いたナノテクノロジー分野の連成シミュレーション
- 1D0915 HEWL(Hen Egg White Lysozyme)の活性部位におけるpKa揺らぎの相関解析
- 1D0900 分子動力学法と静電場解析の連続体モデルを結合したHEWL(Hen Egg White Lysozyme)の水素電離係数pKaの複合解析
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析
- 電気系CADへの応用
- 3a-T-3 Si(100)面の表面再構成 III : 対称ダイマと非対称ダイマ
- 3a-T-2 Si(100)面の表面再構成 II : 新しい表面欠陥構造
- 3a-T-1 Si(100)面の表面再構成 I : 非経験的分子動力学
- 高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析
- 蓄積拡散長を用いた高速三次元不純物分布シミュレーション
- プロセス/デバイスシミュレータによる高速バイポーラトランジスタの性能予測
- フラッシュメモリ書き換え特性のゲート形状依存性
- 第1回日立中研研究会「数値シミュレーション」開催報告(学術会合報告)
- 透過行列法を用いた反転層における電子輸送現象の解析
- バイオインフォーマティクスにおける非線型問題 (産業上の非線形問題と数値シミュレーションと領域分割法)
- 分子動力学関連の本 1) R.W. Hockney and J.E. Eastwood, Computer Simulation Using Particles, McGrawHill, New York, N.Y., 1981, (Adam Hilgerより復刻). / 2) M.P. Allen and D.J. Tildersley, Computer Simulation of Liquids, Clarendon Press, Oxford,1987. / 3)上田顯, コンピュータシミュレーシ
- フラーレンの幾何学(インダストリアルマテリアルズ)
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究