Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析

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概要

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微細化に伴いMOSFETでは、不純物濃度を高くすることにより短チャネル効果を抑制することが行われている。このため、不純物散乱による移動度低下が予想される。本報告では、従来の反転層電荷による遮蔽効果に加えて、ゲート電極及び空乏層端に誘起される鏡像電荷による遮蔽効果を新たに取り入れて、キャリア濃度の低いしきい値電圧付近でのキャリアの表面移動度の不純物散乱による低下と、そのしきい値電圧への影響を評価した。しきい値電圧付近では、鏡像電荷による遮蔽効果により、従来予想されていた結果よりも不純物散乱が抑えられることを示した。また、現在通常使われているデバイスでも、不純物散乱のためにしきい値電圧が従来の値より数十mV程度高い値にシフトすることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-14

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