微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-07-08
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
日立製作所・中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
日立製作所中央研究所
-
吉元 広行
日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所
-
石垣 隆士
日立製作所
関連論文
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 2004 VLSIテクノロジーシンポジウム報告
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
- 最先端半導体プロセス・製造技術の展望 (特集 最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
- SC-9-3 Siヘテロ超構造技術とデバイス応用 : 現状と展望
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ナノメートル時代の半導体デバイスと製造技術の展望 (特集2 最先端半導体デバイスの製造を支えるベストソリューション)
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- ギガビットDRAMに向けたキャパシタ技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2002年版) -- (総論)
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来(ディジタル・一般)
- 高集積DRAMの現状と課題
- 半導体メモリー;DRAM
- 積み上げ拡散層型0.1μm-MOSFET
- 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
- 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
- プラズマCVDによる酸化物超伝導膜の低温成長
- 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (シリコン材料・デバイス)
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (集積回路)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)