磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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• 本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)について述べる。2つの直列接続したSPRAM素子を用いてメモリセルを構成することで、その磁化反転による抵抗変化の組み合わせにより4レベルの抵抗値、すなわち2bit/cellを実現した。多値化のための必要条件は、2つのSPRAM素子が互いに平面面積のみ異なっていればよい。また、書き換え・読み出し動作として、2段階のシーケンスを用いる方式を考案した。

• 2010-11-04

著者

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所中央研究所

• 竹村 理一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所

• 石垣 隆士

  (株)日立製作所中央研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所基礎研究所

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 中央研究所ストレージ研究部

• 伊藤 顕知

  (株)日立製作所 基礎研究所

• 大野 英男

  東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター

• 小埜 和夫

  (株)日立製作所 中央研究所

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